硅技术

结合IST在电阻式温度检测器（RTD）领域多年的专业知识和硅微加工的可能性，在一个客户项目中成功实现了一个150μm的薄硅器件，包括一个基于铂的加热器和温度传感器，围绕一个干蚀刻的中心孔排列。

在一个战略项目中，我们的生产设施得到了扩展，以适应IST已有的温度传感器材料（如铂和镍）在150毫米硅基板上的沉积和图案。

我们的标准硅流量传感器SFS01包括一个位于2µm厚SiN膜中间的多晶硅加热器和两个对称的多晶硅-铝热电堆，用于流量方向检测。

标准的传感器芯片SFS01涵盖了一个广泛的动态范围和流量，超过了例如呼吸器应用所需的流量。SFS的T63为5毫秒，由于其清晰的流向检测，SFS适合用单个传感器进行吸入和呼出监测。

压阻式（电压-电阻）传感器由于受力而改变其电阻率。IST由于硅的高测量系数，这些压阻式硅应变片与普遍存在的金属应变片相比，具有更高的灵敏度。为200毫米的硅基材开发了一种仅有15微米薄的设备的生产和处理技术。

由硅制成的压阻式传感器可以被制造得非常小，而且价格低廉。

压电材料如AlN在施加机械力时产生电压，或在施加电压时产生机械力。

通过与TrueDyne合作，成功地优化了实现新型压电谐振气体传感器MEMS芯片的生产技术。图中显示了一个带有参考温度传感器的MEMS悬臂芯片和两个带有集成薄膜温度传感器和加热器的压电AlN悬臂。

使用内部丝网印刷技术，可提供用于封装硅芯片的特定应用陶瓷PCB。由于其厚膜触点，芯片可以通过焊接、钎焊或线接合进行电气互连。图片显示的是通过焊接为TrueDyne MEMS悬臂芯片集成设计的陶瓷PCB。

凭借我们的专业知识和合作伙伴网络，我们支持我们的客户用MEMS技术实现他们的创新硅基传感器的应用，支持年产量从几千到几百万的传感器。

TrueDyne电子电路集成了谐振式MEMS悬臂，用于测量工艺和燃烧气体（包括天然气中的氢气）的密度、粘度和热导率，以及直接测量热值。